Разработана самая быстрая DRAM- память для мобильных устройств

Разработана самая быстрая DRAM- память для мобильных устройств / СОТОВИК

20.01.2005

Корейская компания Samsung Electronics разработала самую быструю 512-мегабитную мобильную память DRAM, которая обеспечивает обработку информации со скоростью до 1,3 Гбайт/с. Крупнейший производитель чипов памяти заявил, что он сможет создать 1-гигабитный чип, соединив две 512 -мегабитных DRAM-модуля.

Мобильный 512-мегабитный DRAM-модуль способен вместить значительно больший объем информации, чем ныне существующие, и отличается низким энергопотреблением. При своих миниатюрных размерах он может быть использован в таких устройствах, как мобильные телефоны, PDA и цифровые камеры. При этом новый DRAM-модуль за одну секунду может обработать информацию, эквивалентную 5-летнему архиву английских газет объемом 40 страниц каждая.

Современные мультимедийные мобильные телефоны, поддерживающие 3D-графику и имеющие встроенные 5-мегапиксельные камеры, требуют использования мобильной DRAM-памяти со скоростью обработки 1 Гбайт/с и объемом до 256 мегабит.

Samsung Electronics планирует начать коммерческое производство новинки во второй половине 2005 года.